半導(dǎo)體材料是電子信息產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)的基礎(chǔ)，對(duì)整個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起著重要的支撐作用。近幾年，由于市場需求的不斷擴(kuò)大、投資環(huán)境的日益改善、優(yōu)惠政策的吸引及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國轉(zhuǎn)移等等原因，我國集成電路產(chǎn)業(yè)每年都保持30%的增長率。

　　然而，我國半導(dǎo)體材料仍不能滿足產(chǎn)業(yè)需求。截至2009年年底，我國集成電路所有硅材料的產(chǎn)量只是需求量的60%左右，所缺的40%仍然依賴進(jìn)口。而且在當(dāng)今節(jié)能減排、保護(hù)環(huán)境的大政策下，節(jié)能性功率器件及太陽能電池所用硅材料市場需求呈幾何級(jí)數(shù)遞增，3G和無線寬帶、數(shù)字電視以及汽車電子等行業(yè)的快速發(fā)展仍將進(jìn)一步加大國內(nèi)對(duì)集成電路材料的需求。

　　業(yè)內(nèi)專家表示，我國半導(dǎo)體硅材料行業(yè)生產(chǎn)水平與國際先進(jìn)企業(yè)的生產(chǎn)水平之間的差距是巨大的，我國現(xiàn)在集成電路工藝還處在 0.18μm、0.25μm，而國際先進(jìn)工藝已達(dá)到32nm，導(dǎo)致此落后局面的很大一部分原因是由于我國集成電路材料的純度、材料加工的精度還達(dá)不到要求。因此，突破國外技術(shù)封鎖，掌握集成電路材料制造的核心技術(shù)是當(dāng)前國內(nèi)材料企業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn)。

　　而我國IC材料生產(chǎn)企業(yè)自身難以承擔(dān)建設(shè)有競爭力的、大規(guī)模的8英寸及12英寸硅片生產(chǎn)線所需的巨額投資，這需要國家和地方政府的大力扶持。因此，他們呼吁，國家應(yīng)該制定有關(guān)政策鼓勵(lì)采用國產(chǎn)材料(如聯(lián)合開發(fā)研究、利益成果共享等)，使國內(nèi)半導(dǎo)體材料生產(chǎn)企業(yè)有進(jìn)入半導(dǎo)體用戶企業(yè)進(jìn)行產(chǎn)品認(rèn)定、試用的機(jī)會(huì)和條件。

　　集成電路制造過程中需要的主要關(guān)鍵原材料有幾十種，這些材料的質(zhì)量和供應(yīng)直接影響著集成電路的質(zhì)量和競爭力。半導(dǎo)體集成電路和半導(dǎo)體分立器件的主要原材料是硅單晶片，而生產(chǎn)硅單晶片的主要原材料是多晶硅。

　　近年來，在太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的帶領(lǐng)下，我國多晶硅產(chǎn)量猛增，從2006年的287噸發(fā)展到2009年的20230噸，一舉成為世界多晶硅生產(chǎn)大國之一。然而為滿足國內(nèi)光伏產(chǎn)業(yè)及IC產(chǎn)業(yè)的需要，多晶硅企業(yè)還應(yīng)繼續(xù)在提高轉(zhuǎn)換效率，提高副產(chǎn)物循環(huán)利用，實(shí)現(xiàn)清潔生產(chǎn)，修訂多晶硅產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，制定多晶硅生產(chǎn)節(jié)能、排放國家標(biāo)準(zhǔn)。

　　除了多晶硅材料，8英寸、12英寸硅片，光刻膠，高純化學(xué)試劑的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)和規(guī)模化生產(chǎn)，塑封料、鍵合金絲、引線框架材料等產(chǎn)品技術(shù)水平的提升，新型封裝基板材料的開發(fā)研究等都是半導(dǎo)體材料企業(yè)需要進(jìn)一步關(guān)注的重點(diǎn)和努力的方向。

　　此外，發(fā)展我國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)還應(yīng)以企業(yè)為主體，建立面向市場的產(chǎn)、學(xué)、研相結(jié)合的生產(chǎn)技術(shù)合作體系；鼓勵(lì)對(duì)半導(dǎo)體材料共性技術(shù)進(jìn)行聯(lián)合開發(fā)，同時(shí)積極尋求國際合作，組成研發(fā)聯(lián)合體。