根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機DRAMeXchange調查，自5月起，記憶卡、隨身碟(UFD)及多數(shù)的NAND Flash應用產(chǎn)品都已進入傳統(tǒng)的淡季，故目前多數(shù)下游客戶的采購需求已轉趨疲弱，且先前因擔憂日本大地震可能帶來的供給吃緊的預期心理下，多數(shù)下游客戶的庫存水位都已經(jīng)先行墊高了；故 5月上旬主流NAND Flash合約價呈現(xiàn)下跌約2~10%的狀況。

展望后市，預期NAND Flash市場仍將受到以下的多空因素所影響：1. NAND Flash記憶卡及UFD的淡季效應將持續(xù)到6月份；2.系統(tǒng)產(chǎn)品如平板計算機及智能型手機的第二季采購需求，主要仍倚賴少數(shù)客戶的大訂單，故淡季效應仍在。3. NAND Flash供貨商的上游原物料供給，并未受到日本地震的影響，故2Q11仍能維持正常的生產(chǎn)計劃，且2xnm新制程技術的產(chǎn)出比重在2Q11也將進一步提高，而推升2Q整體NAND Flash的位供給量。4.自6月份起NAND Flash供貨商將開始受到2Q季底因素影響，而采取促銷策略以降低庫存水位。5.下游系統(tǒng)產(chǎn)品客戶希望先前3月份因地震不確定因素所推升的價格，若能在他們的新機種推出前適度地降價，將會有助于提升他們于3Q11中后期時采用搭配較NAND Flash高儲存容量的意愿。

綜合上述多空市場因素，DRAMeXchange預期NAND Flash市場自5月份起將轉為供過于求的狀況，故NAND Flash合約價格在第二季中后期將會由 4月份的持穩(wěn)狀況，轉為下跌的走勢。

補充閱讀：下半年DRAM產(chǎn)能取決于信越和SUMCO的復工狀況

根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange的調查，4月下旬DRAM合約價呈現(xiàn)小幅上漲的價格走勢，DDR3 2GB均價自18美元上漲至18.25美元(1Gb $0.98)，漲幅約1.39%，DDR3 4GB均價亦上漲至35.5美元(2Gb $2.06)，漲幅約在1.43%。

從市場面來觀察，近期合約價的價格走勢，除了日本震災的影響外， PC OEM采購策略的改變及部份 DRAM 廠在40nm制程良率出現(xiàn)問題亦是主要原因；DRAMeXchange指出，首先是由于宏碁(Acer)三降財測突顯產(chǎn)品策略的失誤，部份 PC OEM 廠趁此機會提升出貨量搶攻市占率，亦帶動DRAM采購的需求，同時近期有兩家DRAM廠在40nm制程良率出現(xiàn)問題導致出貨遞延，轉單效應亦讓合約價格持續(xù)往上開出，也是讓四月下旬合約價維持成長動能的主因。

另外日本東北震災至今已過一個半月，由于原物料供應可能短缺的疑慮下，DRAM產(chǎn)業(yè)亦掀起搶料大作戰(zhàn)，其中又以受創(chuàng)較為嚴重的硅晶圓供應為最；根據(jù)集邦科技的訪查，受到地震沖擊下，先前傳出有硅晶圓取得有困難的廠商，除了獲得廠商支持與手上庫存因應下，目前投片能見度大都已經(jīng)至六月份無太大問題。

如爾必達(Elpida)及瑞晶的硅晶圓供應大都來自受創(chuàng)最為嚴重的信越福島廠，但在信越化學全力支持及硅晶圓轉為供應較為穩(wěn)定的Polish等級，讓整體爾必達集團投片能見度可望至六月甚至七月，硅晶圓供應中斷的機會性將大幅降低。

力晶方面有將近25%的硅晶圓來自信越福島廠，主要是用于45nm制程的投片，在考慮未來處出歸屬爾必達下，亦獲得爾必達的幫忙得到信越產(chǎn)能的支持，投片能見度可至6月；而韓系廠商海力士(Hynix)方面，硅晶圓有20%亦來自信越福島廠，目前硅晶圓取得已經(jīng)轉向LG及其他硅晶圓廠商。

其他DRAM廠如三星、美光、南科、華亞科及華邦，由于硅晶圓取得都在非日本地區(qū)，故沖擊皆屬不大，但硅晶圓廠受創(chuàng)是不爭的事實，對于下半年DRAM廠取得硅晶圓的詳細狀況，仍需等待信越及SUMCO 的復工狀況而定。

針對現(xiàn)階段最新的信越化學及SUMCO復工進度來說，信越化學預計福島廠5月預計復工，預計年底年可以回復至至少七成以上的產(chǎn)能，而SUMCO方面，山形米澤廠的修復作業(yè)預計5月可以完成，同時SUMCO其他生產(chǎn)基地亦提高生產(chǎn)量，希望可以在5月將生產(chǎn)能力回復至震災前的水平。