什么是LVDS器件，LVDS器件簡(jiǎn)介
LVDS器件簡(jiǎn)介 《版權(quán)聲明：本文由www.mnu8.com整理提供，部分內(nèi)容來源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正。》

    對(duì)于高速電路，尤其是高速數(shù)據(jù)總線，常用的器件有：ECL、BTL、GTL和GTL 等。這些器件的工藝成熟，應(yīng)用也較為廣泛，但都存在一個(gè)共同的弱點(diǎn)，即功耗大，此外，采用單端信號(hào)的BTL和GTL器件，電磁輻射也較強(qiáng)。現(xiàn)在，NS公司率先推出的CMOS工藝的低電壓差分信號(hào)器件（即Low Voltage Differencial Signal 簡(jiǎn)稱LVDS ）給了我們另一種選擇。 《版權(quán)聲明：本文由www.mnu8.com整理提供，部分內(nèi)容來源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正。》

    LVDS器件是近年來National Semiconductor公司發(fā)展的一種高速傳輸芯片，它的傳輸機(jī)制是把TTL邏輯電平轉(zhuǎn)換成低電壓差分信號(hào)，以便于高速傳輸。與傳統(tǒng)的ECL邏輯相比，它采用CMOS工藝，它的電壓擺幅更低，只有400mv，ECL為800mv，動(dòng)態(tài)功耗更小，（輸出電流3－5mA）只有ECL電路的1/7(的數(shù)據(jù)傳輸量)，低EMI，價(jià)格更低，因而具有很大的優(yōu)勢(shì)，從97-98年首先在歐洲開始得到應(yīng)用。目前，NS公司的LVDS器件有以下幾個(gè)系列：  《版權(quán)聲明：本文由www.mnu8.com整理提供，部分內(nèi)容來源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正。》

Channel Link，如：DS90CR285/6,DS90CR217/218
Bus LVDS，如：DS92LV1021/1201
Flat Panel Display (FPD)- link，如：DS90CF385/386
Line Drive and Receiver (LD&Rs)，如：DS90LV031A/032A 《版權(quán)聲明：本文由www.mnu8.com整理提供，部分內(nèi)容來源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正。》

    LVDS器件的推出時(shí)間不長(zhǎng)，目前，已經(jīng)在歐美地區(qū)開始應(yīng)用，據(jù)了解，國(guó)內(nèi)目前尚沒有應(yīng)用，但已有幾家公司在進(jìn)行測(cè)試和試用。現(xiàn)有的LVDS器件單對(duì)差分線所能傳輸?shù)淖畲笏俾蕿?00－600M左右，據(jù)悉NS公司正在開發(fā)速率為1G的芯片組。公司，如TI、朗訊，都有各自的LVDS類型的芯片。3M公司則開發(fā)了LVDS信號(hào)專用的雙絞電纜和接插件。LVDS器件主要用途為：電纜或PCB傳輸（點(diǎn)對(duì)點(diǎn)）、總線傳輸（BLVDS）、平板顯示器（FPD）等，傳輸速率在400M－600M，今后的LVDS器件的速度將會(huì)提高到1G，速度越來越快，品種也會(huì)越來越多。 《版權(quán)聲明：本文由www.mnu8.com整理提供，部分內(nèi)容來源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正。》

    據(jù)目前掌握的資料，未來幾年，NS將推出單對(duì)差分線傳輸速率達(dá)千兆位的LVDS收發(fā)器、低延遲的LVDS時(shí)鐘信號(hào)緩沖器/驅(qū)動(dòng)器，以及36X36LVDS信號(hào)的SWITCH芯片。，Ericsson 和Sony 公司已經(jīng)推出傳輸速率超過1G的GLVDS器件。《版權(quán)聲明：本文由www.mnu8.com整理提供，部分內(nèi)容來源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵犯到你的權(quán)利請(qǐng)與我們聯(lián)系更正。》