雙極型晶體管參數(shù)符號及其意義
Cc——-集電極電容
Ccb——-集電極與基極間電容
Cce——-發(fā)射極接地輸出電容
Ci——-輸入電容
Cib——-共基極輸入電容
Cie——-共發(fā)射極輸入電容
Cies——-共發(fā)射極短路輸入電容
Cieo——-共發(fā)射極開路輸入電容
Cn——-中和電容（外電路參數(shù)）
Co——-輸出電容
Cob——-共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容
Coe——-共發(fā)射極輸出電容
Coeo——-共發(fā)射極開路輸出電容
Cre——-共發(fā)射極反饋電容
Cic——-集電結(jié)勢壘電容
CL——-負(fù)載電容（外電路參數(shù)）
Cp——-并聯(lián)電容（外電路參數(shù)）
BVcbo——-發(fā)射極開路，集電極與基極間擊穿電壓
BVceo——-基極開路，CE結(jié)擊穿電壓
BVebo——- 集電極開路EB結(jié)擊穿電壓
BVces——-基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓
BV cer——-基極與發(fā)射極串接一電阻，CE結(jié)擊穿電壓
D——-占空比
fT——-特征頻率
fmax——-最高振蕩頻率。當(dāng)三極管功率增益等于1時的工作頻率
hFE——-共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)
hIE——-共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗
hOE——-共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導(dǎo)
h RE——-共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù)
hie——-共發(fā)射極小信號短路輸入阻抗
hre——-共發(fā)射極小信號開路電壓反饋系數(shù)
hfe——-共發(fā)射極小信號短路電壓放大系數(shù)
hoe——-共發(fā)射極小信號開路輸出導(dǎo)納
IB——-基極直流電流或交流電流的平均值
Ic——-集電極直流電流或交流電流的平均值
IE——-發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值
Icbo——-基極接地，發(fā)射極對地開路，在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流
Iceo——-發(fā)射極接地，基極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
Iebo——-基極接地，集電極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VEB條件下，發(fā)射極與基極之間的反向截止電流
Icer——-基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R，集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī)定值時，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
Ices——-發(fā)射極接地，基極對地短路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
Icex——-發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間加指定偏壓，在規(guī)定的反向偏壓VCE下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
ICM——-集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。
IBM——-在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi)，能連續(xù)地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值
ICMP——-集電極最大允許脈沖電流
ISB——-二次擊穿電流
IAGC——-正向自動控制電流
Pc——-集電極耗散功率
PCM——-集電極最大允許耗散功率
Pi——-輸入功率
Po——-輸出功率
Posc——-振蕩功率
Pn——-噪聲功率
Ptot——-總耗散功率
ESB——-二次擊穿能量
rbb——-基區(qū)擴(kuò)展電阻（基區(qū)本征電阻）
rbbCc——-基極-集電極時間常數(shù)，即基極擴(kuò)展電阻與集電結(jié)電容量的乘積
rie——-發(fā)射極接地，交流輸出短路時的輸入電阻
roe——-發(fā)射極接地，在規(guī)定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻
RE——-外接發(fā)射極電阻（外電路參數(shù)）
RB——-外接基極電阻（外電路參數(shù)）
Rc ——-外接集電極電阻（外電路參數(shù)）
RBE——-外接基極-發(fā)射極間電阻（外電路參數(shù)）
RL——-負(fù)載電阻（外電路參數(shù)）
RG——-信號源內(nèi)阻
Rth——-熱阻
Ta——-環(huán)境溫度
Tc——-管殼溫度
Ts——-結(jié)溫
Tjm——-最大允許結(jié)溫
Tstg——-貯存溫度
td————延遲時間
tr——-上升時間
ts——-存貯時間
tf——-下降時間
ton——-開通時間
toff——-關(guān)斷時間
VCB——-集電極-基極（直流）電壓
VCE——-集電極-發(fā)射極（直流）電壓
VBE——-基極發(fā)射極（直流）電壓
VCBO——-基極接地，發(fā)射極對地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VEBO——-基極接地，集電極對地開路，發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEO——-發(fā)射極接地，基極對地開路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCER——-發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間串接電阻R，集電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓
VCES——-發(fā)射極接地，基極對地短路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEX——-發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓，集電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最高耐壓
Vp——-穿通電壓。
VSB——-二次擊穿電壓
VBB——-基極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
Vcc——-集電極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
VEE——-發(fā)射極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
VCE(sat)——-發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下的集電極-發(fā)射極間飽和壓降
VBE(sat)——-發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下，基極-發(fā)射極飽和壓降（前向壓降）
VAGC——-正向自動增益控制電壓
Vn(p-p)——-輸入端等效噪聲電壓峰值
V n——-噪聲電壓
Cj——-結(jié)（極間）電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容
Cjv——-偏壓結(jié)電容
Co——-零偏壓電容
Cjo——-零偏壓結(jié)電容
Cjo/Cjn——-結(jié)電容變化
Cs——-管殼電容或封裝電容
Ct——-總電容
CTV——-電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比
CTC——-電容溫度系數(shù)
Cvn——-標(biāo)稱電容
IF——-正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流
IF（AV）——-正向平均電流
IFM（IM）——-正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。
IH——-恒定電流、維持電流。
Ii——- 發(fā)光二極管起輝電流
IFRM——-正向重復(fù)峰值電流
IFSM——-正向不重復(fù)峰值電流（浪涌電流）
Io——-整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)——-正向過載電流
IL——-光電流或穩(wěn)流二極管極限電流
ID——-暗電流
IB2——-單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流
IEM——-發(fā)射極峰值電流
IEB10——-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流
IEB20——-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流
ICM——-最大輸出平均電流
IFMP——-正向脈沖電流
IP——-峰點(diǎn)電流
IV——-谷點(diǎn)電流
IGT——-晶閘管控制極觸發(fā)電流
IGD——-晶閘管控制極不觸發(fā)電流
IGFM——-控制極正向峰值電流
IR（AV）——-反向平均電流
IR（In）——-反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM——-反向峰值電流
IRR——-晶閘管反向重復(fù)平均電流
IDR——-晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流
IRRM——-反向重復(fù)峰值電流
IRSM——-反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流）
Irp——-反向恢復(fù)電流
Iz——-穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流
Izk——-穩(wěn)壓管膝點(diǎn)電流
IOM——-最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流
IZSM——-穩(wěn)壓二極管浪涌電流
IZM——-最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流
iF——-正向總瞬時電流
iR——-反向總瞬時電流
ir——-反向恢復(fù)電流
Iop——-工作電流
Is——-穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流
f——-頻率
n——-電容變化指數(shù)；電容比
Q——-優(yōu)值（品質(zhì)因素）
δvz——-穩(wěn)壓管電壓漂移
di/dt——-通態(tài)電流臨界上升率
dv/dt——-通態(tài)電壓臨界上升率
PB——-承受脈沖燒毀功率
PFT（AV）——-正向?qū)�通平均耗散功�?BR>PFTM——-正向峰值耗散功率
PFT——-正向?qū)�通總瞬時耗散功率
Pd——-耗散功率
PG——-門極平均功率
PGM——-門極峰值功率
PC——-控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi——-輸入功率
PK——-最大開關(guān)功率
PM——-額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率
PMP——-最大漏過脈沖功率
PMS——-最大承受脈沖功率
Po——-輸出功率
PR——-反向浪涌功率
Ptot——-總耗散功率
Pomax——-最大輸出功率
Psc——-連續(xù)輸出功率
PSM——-不重復(fù)浪涌功率
PZM——-最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率
RF（r）——-正向微分電阻。在正向?qū)�通時，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應(yīng)增加△I，則△V/△I稱微分電阻
RBB——-雙基極晶體管的基極間電阻
RE——-射頻電阻
RL——-負(fù)載電阻
Rs(rs)————串聯(lián)電阻
Rth————熱阻
R(th)ja————結(jié)到環(huán)境的熱阻
Rz(ru)——-動態(tài)電阻
R(th)jc——-結(jié)到殼的熱阻
r δ——-衰減電阻
r(th)——-瞬態(tài)電阻
Ta——-環(huán)境溫度
Tc——-殼溫
td——-延遲時間
tf——-下降時間
tfr——-正向恢復(fù)時間
tg——-電路換向關(guān)斷時間
tgt——-門極控制極開通時間
Tj——-結(jié)溫
Tjm——-最高結(jié)溫
ton——-開通時間
toff——-關(guān)斷時間
tr——-上升時間
trr——-反向恢復(fù)時間
ts——-存儲時間
tstg——-溫度補(bǔ)償二極管的貯成溫度
a——-溫度系數(shù)
λp——-發(fā)光峰值波長
△ λ——-光譜半寬度
η——-單結(jié)晶體管分壓比或效率
VB——-反向峰值擊穿電壓
Vc——-整流輸入電壓
VB2B1——-基極間電壓
VBE10——-發(fā)射極與第一基極反向電壓
VEB——-飽和壓降
VFM——-最大正向壓降（正向峰值電壓）
VF——-正向壓降（正向直流電壓）
△VF——-正向壓降差
VDRM——-斷態(tài)重復(fù)峰值電壓
VGT——-門極觸發(fā)電壓
VGD——-門極不觸發(fā)電壓
VGFM——-門極正向峰值電壓
VGRM——-門極反向峰值電壓
VF（AV）——-正向平均電壓
Vo——-交流輸入電壓
VOM——-最大輸出平均電壓
Vop——-工作電壓
Vn——-中心電壓
Vp——-峰點(diǎn)電壓
VR——-反向工作電壓（反向直流電壓）
VRM——-反向峰值電壓（最高測試電壓）
V（BR）——-擊穿電壓
Vth——-閥電壓（門限電壓）
VRRM——-反向重復(fù)峰值電壓（反向浪涌電壓）
VRWM——-反向工作峰值電壓
V v——-谷點(diǎn)電壓
Vz——-穩(wěn)定電壓
△Vz——-穩(wěn)壓范圍電壓增量
Vs——-通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓
av——-電壓溫度系數(shù)
Vk——-膝點(diǎn)電壓（穩(wěn)流二極管）
VL ——-極限電壓

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